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전자공학과 학부생 조태영, 류균석 SCI 논문 등재
- 조회 : 278
- 등록일 : 2023-03-22
[전자공학과 학부생 조태영, 류균석 SCI 논문 등재]
국립한국교통대학교(총장 직무대리 정기만)는 융합기술대학 전자공학과 4학년 조태영, 류균석 학생(지도교수 강명곤)이 SCI급 국제학술지 'Applied Sciences (IF=2.838)'에 각각 제1저자로 논문을 등재했다고 밝혔다.
조태영 학생은 메모리 소자가 동작하면서 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Natural Local Self Boosting (NLSB)를 시간에 따라 분석한 ‘Inhibited Channel Potential of 3D NAND Flash Memory String According to Transient Time’논문을 게재했다.
류균석 학생은 메모리 소자에 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Down Coupling Phenomenon(DCP)로 인한 채널 전위 회복을 분석한 ‘Analysis of Channel Potential Recovery according to the Back Pattern in 3D NAND Flash Memory’ 논문을 게재했다.
학생들은 4학년부터 학부연구생으로 메모리 소자의 동작 시 발생하는 현상을 반도체 소자 시뮬레이션을 통해서 집중적으로 연구 하였다. 그 결과 각각 논문 주제를 설정하여 학부생 신분으로 SCI급 국제학술지에 논문을 게재할 수 있었다.
조태영 학생은 “학부연구생이 되어 전에는 해보지 못했던 연구와 공부를 할 수 있었다.” 그리고 “저널에 논문을 게재 한다는 좋은 기회를 얻어 학부생으로서 값진 경험을 한 것 같다.”라고 말했다.
류균석 학생은 “짧은 학부연구생 기간에 연구에 몰두하여 학부생으로서 경험하기 어려운 일을 해냈다고 생각한다. 이를 통해 앞으로의 석사 과정에서도 연구를 잘 할 수 있을 것이라는 자신감이 생겼다.”라고 소감을 밝혔다.
한편 이번 연구는 한국연구재단 차세대지능형반도체기술개발(소자)사업 지원으로 진행됐다.
국립한국교통대학교(총장 직무대리 정기만)는 융합기술대학 전자공학과 4학년 조태영, 류균석 학생(지도교수 강명곤)이 SCI급 국제학술지 'Applied Sciences (IF=2.838)'에 각각 제1저자로 논문을 등재했다고 밝혔다.
조태영 학생은 메모리 소자가 동작하면서 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Natural Local Self Boosting (NLSB)를 시간에 따라 분석한 ‘Inhibited Channel Potential of 3D NAND Flash Memory String According to Transient Time’논문을 게재했다.
류균석 학생은 메모리 소자에 발생할 수 있는 현상 중 하나인 Down Coupling Phenomenon(DCP)로 인한 채널 전위 회복을 분석한 ‘Analysis of Channel Potential Recovery according to the Back Pattern in 3D NAND Flash Memory’ 논문을 게재했다.
학생들은 4학년부터 학부연구생으로 메모리 소자의 동작 시 발생하는 현상을 반도체 소자 시뮬레이션을 통해서 집중적으로 연구 하였다. 그 결과 각각 논문 주제를 설정하여 학부생 신분으로 SCI급 국제학술지에 논문을 게재할 수 있었다.
조태영 학생은 “학부연구생이 되어 전에는 해보지 못했던 연구와 공부를 할 수 있었다.” 그리고 “저널에 논문을 게재 한다는 좋은 기회를 얻어 학부생으로서 값진 경험을 한 것 같다.”라고 말했다.
류균석 학생은 “짧은 학부연구생 기간에 연구에 몰두하여 학부생으로서 경험하기 어려운 일을 해냈다고 생각한다. 이를 통해 앞으로의 석사 과정에서도 연구를 잘 할 수 있을 것이라는 자신감이 생겼다.”라고 소감을 밝혔다.
한편 이번 연구는 한국연구재단 차세대지능형반도체기술개발(소자)사업 지원으로 진행됐다.
