▶ 학력
KAIST 대학원 재료공학과 졸업(공학박사)
KAIST 대학원 재료공학과 졸업(공학석사)
KAIST 대학원 재료공학과 졸업(공학사)

▶ 경력
2004. 04 – 현재 : 한국교통대학교 신소재공학전공 교수
2010. 01 – 2011. 02: UNSW(시드니, 호주) 교환교수
1997. 10 – 2004.03 : ㈜SK 하이닉스 선임연구원
2005.03-2010.02: 한국교통대학교 지역혁신센터(RIC) 장비운용부장
2007.09-2009.08: 차세대전지 전문인력 양성사업단(NURI) 산학협력부장
2007.12-2010.02: 충주시 “지역혁신협의회” 의원
2008.03-2009.12: 한국교통대학교 신소재공학과 학과장
2008.07-2018.02:  한국교통대학교 RIS사업단 기업지원부장

▶ 연구 업적

[학술논문]
- S. Y. Kweon, et. al., “Low-temperature sintering of (1–x)·Pb(Zr0.53Ti0.47)O3–x·BiYO3 ceramics with nano-powder

  for piezo-speaker” Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 58, 051008 2019.
- S. Y. Kweon, et. al., ”Microstructures and Electrical Properties of PSN-PZT Ceramics for Piezoelectric Speaker“ J.

  Korean Inst. Electr. Electron. Mater. Eng., Vol. 32, No. 2, pp. 110-115, 2019.
- S. Y. Kweon, et. al., “Evaluation of a (Bi,La)4TiO3 Thin Film Capacitor Fabricated on a Sub-micron Bottom Electrode

  in a FeRAM Device”, Journal of the Korean Physical Society, 2011.
- S. Y. Kweon, et. al., “Transparent conducting ZnO:Ga Films Prepared on PEN Substrates by Using  RF Magnetron

  Sputtering”, Journal of the Korean Physical Society, 2010.
- S. Y. Kweon, et. al., “Dry Etching of a Pb(Zr,Ti)O3 Capacitor Module with a TiN Hard Mask in a n O2/Cl2 Plasma”,

  Journal of the Korean Physical Society, 2009.
- S. Y. Kweon, et. al.,, “Characteristics of BaTiO3-PVDF 0-3 Composite Film for Inorganic Electro-Luminescence Device,”

  Integrated Ferroelectrics, Vol. 98, pp. 183-191, 2008.
- S. Y. Kweon, et. al., “Effects of ZnO on the piezoelectric properties of Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3 ceramics,” J.

  Electroceramics, Vol. 18, pp. 73-75, 2007.
- S. Y. Kweon, et. al., “(Bi,La)4Ti3O12 (BLT) thin film grown from nano-crystalline perovskite nuclei for ferroelectric memory

  devices,” Appl. Phys. Lett., Vol. 85, pp. 4118-4120, 2004.
- S. Y. Kweon, et. al., “Platinum (100) hillock growth in a Pt/Ti electrode stack for ferroelectric random access memory,” Appl.

  Phys. Lett., Vol. 83, No. 11, pp. 2160-2162, 2003.
- S. Y. Kweon, et. al., “Highly Reliable Ferroelectric Memories Using BLT Thin Films and Robust Integration Schemes,” IEEE

  Electron Device Lett., Vol. 23, No. 12, pp. 743-745, 2002.
- S. Y. Kweon, et. al., “Thermal stability and electrical properties of SrBi2Ta2-xNbxO9/IrOx capacitors with Pt top electrode,”

  Jpn. J. Appl. Phys. Part 1, Vol. 40, No. 9A, pp. 5275-5280, 2001.

[학술대회 발표]
- 권순용. (2014.5), 압전 발전소자 적용을 위한 PNN-PZT계 세라믹스의 미세구조 및 전기적 특성 평가, 전기전자재료학회 하계학술대회
- 권순용. (2013.5), 60 μm 핑거 바 선폭을 적용한 고효율 실리콘 태양전지의 전면 전극용 은 페이스트 제조 및 태양전지 특성 평가 ,

  전기전자재료학회 하계학술대회
- S. Y. Kweon (2013. 8), Shapes and Area Effects on Piezoelectric Speaker Fabricated with PZT-based Material, ISIF2013,

  Texas, USA.
- S. Y. Kweon (2012. 6), Evaluation of Thick-Film Piezoelectric Speaker Fabricated with Pb(Sb1/2Nb1/2)x(Zr0.51Ti0.49)1-xO3

  Ceramics Attached on Brass Foil, ISIF2012, Hong Kong, China.

[연구과제]
2011.03~2013.02, “고효율 Si 태양전지를 위한 전극용 Pb-free Ag 페이스트 제조 기술 개발,” 지식경제부.
2011.05~2013.12, “충주 파스너산업 활성화 사업(지역연고산업육성사업),” 지식경제부.
2009.03~2011.02, “저 소비전력 LED 조명 기술 및 개발,” 지식경제부.
2009.09~2010.02, “플라스틱 기판용 TiO2 페이스트 개발,” (주)미성폴리테크.
2009.06~2010.06, “상업용 태양전지의 고효율화를 위한 기능성 금속 전극 페이스트 개발, (주)신성홀딩스.
2008.08~2010.04, “초소형 SMD형 RFID 칩 태그 개발,”  한국산업기술재단.
2008.12~2010.09, “휴대용 압전 스피커의 개발,”  (주)제닉슨.
2008.03~2009.02,, “고상반응법을 이용한 나노크기를 갖는 BaTiO3 합성 기술개발,”  지식경제부.
2008.07~2009.04, “실리콘 및 에폭시계 실버페이스트 개발,” 중소기업청.

[특허]
- S. Y. Kweon, “Ferroelectric random access memory capacitor and method for manufacturing the same,” Patent No.: 7371589,

  US, Date of patent: May-13-2008.
- S. Y. Kweon, “Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same,”

  Patent No.: 7205192, US, Date of patent: Apr-17-2007.
- S. Y. Kweon, "Ferroelectric memory capacitor and method for fabricating the nonvolatile memory with the same," Appl.

  No.: 10/613993, US, Filed: Jul.-08-2003.
- S. Y. Kweon, "Method for fabricating semiconductor device," Appl. No.: 10/318101, US, Filed: Dec.-13-2002.

[기타] Device 개발 경력:
2000.04: 256 Kb FeRAM 개발, Hyundai Electronics Industries Co.
2001.05: 1 Mb FeRAM 개발, Hynix Semiconductor Inc.
2003.03: 4 Mb FeRAM 개발, Hynix Semiconductor Inc., ISIF2003.
2003.12: 16 Mb FeRAM 개발, Hynix Semiconductor Inc., IEDM 2003.